창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1SS416,L3M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1SS416 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
전류 -평균 정류(Io) | 100mA | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 500mV @ 100mA | |
속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50µA @ 30V | |
정전 용량 @ Vr, F | 15pF @ 0V, 1MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | fSC | |
작동 온도 - 접합 | 125°C(최대) | |
표준 포장 | 8,000 | |
다른 이름 | 1SS416 (TL3,T) 1SS416 (TL4,D) 1SS416(TL3,T) 1SS416(TL3T)TR 1SS416(TL3T)TR-ND 1SS416(TL4,D) 1SS416(TL4D)TR 1SS416(TL4D)TR-ND 1SS416,L3M(B 1SS416,L3M(T 1SS416L3M 1SS416L3M-ND 1SS416L3MTR 1SS416TL3T 1SS416TL4D | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1SS416,L3M | |
관련 링크 | 1SS416, 1SS416,L3M 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | ECJ-0EF1H222Z | 2200pF 50V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | ECJ-0EF1H222Z.pdf | |
![]() | GRM0335C1H3R6CD01D | 3.6pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1H3R6CD01D.pdf | |
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MBC201-1048G | AC/DC CONVERTER 48V 160W | MBC201-1048G.pdf | ||
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![]() | ADC85 | ADC85 ORIGINAL SMD or Through Hole | ADC85.pdf | |
![]() | XR3178EIDTR-F | XR3178EIDTR-F ORIGINAL SMD or Through Hole | XR3178EIDTR-F.pdf | |
![]() | EMB-CDE-CI-3B90902F | EMB-CDE-CI-3B90902F AMPHENOL SMD or Through Hole | EMB-CDE-CI-3B90902F.pdf | |
![]() | 3366P-1-203 | 3366P-1-203 BOURNS SMD or Through Hole | 3366P-1-203.pdf | |
![]() | M74VHC1GT125DT1G(W1T) | M74VHC1GT125DT1G(W1T) ON SOT-153 | M74VHC1GT125DT1G(W1T).pdf | |
![]() | ED1E434-11 | ED1E434-11 CINCH SMD or Through Hole | ED1E434-11.pdf | |
![]() | L9922FBAB | L9922FBAB ORIGINAL SOP-14 | L9922FBAB.pdf |