창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1SS402TE85LF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1SS402 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 독립형 2개 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 20V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 50mA | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 550mV @ 50mA | |
| 속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 20V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-82 | |
| 공급 장치 패키지 | USQ | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 1SS402(TE85L,F) 1SS402TE85LFTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1SS402TE85LF | |
| 관련 링크 | 1SS402T, 1SS402TE85LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | MHQ1005P43NGTD25 | 43nH Unshielded Multilayer Inductor 190mA 1.6 Ohm Max 0402 (1006 Metric) | MHQ1005P43NGTD25.pdf | |
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![]() | RNCF1206TKT226K | RES SMD 226K OHM 0.01% 1/4W 1206 | RNCF1206TKT226K.pdf | |
![]() | 8669-001 | 8669-001 ORIGINAL PQFP-128P | 8669-001.pdf | |
![]() | BGA SAMPLE | BGA SAMPLE PHI BGA | BGA SAMPLE.pdf | |
![]() | DS4ESDC12V | DS4ESDC12V NAI SMD or Through Hole | DS4ESDC12V.pdf | |
![]() | A3BS2F7VZ0194W | A3BS2F7VZ0194W Sharp SMD or Through Hole | A3BS2F7VZ0194W.pdf | |
![]() | NSDU45 | NSDU45 ORIGINAL TO-262 | NSDU45.pdf | |
![]() | 88e1240-a1-tah2 | 88e1240-a1-tah2 mvl SMD or Through Hole | 88e1240-a1-tah2.pdf | |
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![]() | RN1964(TE85R) | RN1964(TE85R) TOSHIBA SMD or Through Hole | RN1964(TE85R).pdf | |
![]() | CZ80C104MM | CZ80C104MM AVX DIP2P | CZ80C104MM.pdf |