창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1SS367(TH3.F) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | 1SS367(TH3.F) | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | 1SS367(TH3.F) | |
| 관련 링크 | 1SS367(, 1SS367(TH3.F) 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | B43501F2158M87 | 1500µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 65 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C | B43501F2158M87.pdf | |
![]() | SQCA5A102JATME | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 A 0605(1613 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | SQCA5A102JATME.pdf | |
![]() | VJ0805D112FLXAR | 1100pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D112FLXAR.pdf | |
| SIB410DK-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 9A 8SO | SIB410DK-T1-GE3.pdf | ||
![]() | RCP2512W24R0JS2 | RES SMD 24 OHM 5% 22W 2512 | RCP2512W24R0JS2.pdf | |
![]() | PCF50877E/2A3Z | PCF50877E/2A3Z PHI BGA | PCF50877E/2A3Z.pdf | |
![]() | CDBH6-54-G | CDBH6-54-G COMCHIP SOT-563 | CDBH6-54-G.pdf | |
![]() | UPD17203AGC-727-3BH | UPD17203AGC-727-3BH NEC QFP | UPD17203AGC-727-3BH.pdf | |
![]() | BAV99W.115 | BAV99W.115 NXP SOT-23 | BAV99W.115.pdf | |
![]() | 08-6210-030-340-800+ | 08-6210-030-340-800+ kyocera Connector | 08-6210-030-340-800+.pdf | |
![]() | WL1271AFVR | WL1271AFVR TI SMD or Through Hole | WL1271AFVR.pdf | |
![]() | S-8261ACMMD-G4MT2S (G4M) | S-8261ACMMD-G4MT2S (G4M) SEIKO SMD or Through Hole | S-8261ACMMD-G4MT2S (G4M).pdf |