창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1SS272TE85LF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1SS272 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 독립형 2개 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 80V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 100mA | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 100mA | |
| 속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
| 역회복 시간(trr) | 4ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 80V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-61AA | |
| 공급 장치 패키지 | SC-61B | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 1SS272 (TE85L,F) 1SS272(TE85L,F) 1SS272TE85LFTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1SS272TE85LF | |
| 관련 링크 | 1SS272T, 1SS272TE85LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | RN214-2.5-02 | 3.3mH @ 1kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 2.5A (Typ) DCR 72 mOhm (Typ) | RN214-2.5-02.pdf | |
![]() | RCWL1218R330JNEA | RES SMD 0.33 OHM 5% 1W 1218 | RCWL1218R330JNEA.pdf | |
![]() | RG1005N-2801-D-T10 | RES SMD 2.8K OHM 0.5% 1/16W 0402 | RG1005N-2801-D-T10.pdf | |
![]() | IS41LV16100B-60KL | IS41LV16100B-60KL ISSI SOJ(42) | IS41LV16100B-60KL.pdf | |
![]() | RF150BM11 | RF150BM11 JOHANSONMANUFACTURINGCORP Res.FlangeBeO | RF150BM11.pdf | |
![]() | SFC05C-1.TC | SFC05C-1.TC SEMTECH Flip Chip | SFC05C-1.TC.pdf | |
![]() | IN4007 600V-1200V | IN4007 600V-1200V Agilent SMD or Through Hole | IN4007 600V-1200V.pdf | |
![]() | B43504A0567M007 | B43504A0567M007 EPC SMD or Through Hole | B43504A0567M007.pdf | |
![]() | XC5VLX30-1FF676I | XC5VLX30-1FF676I XILINX SMD or Through Hole | XC5VLX30-1FF676I.pdf | |
![]() | NG82925XE SL84Z | NG82925XE SL84Z INTEL BGA | NG82925XE SL84Z.pdf | |
![]() | AM29F160DB-90E1 | AM29F160DB-90E1 AMD TSSOP-48 | AM29F160DB-90E1.pdf |