창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1SMB5939BT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1SMB59xxBT3G, SZ1SMB59xxT3G Series | |
| PCN 조립/원산지 | SMB Schottky and Ultrafast Rectifiers 17/Sep/2013 | |
| 카탈로그 페이지 | 1559 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 39V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 45옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 29.7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
| 공급 장치 패키지 | SMB | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 1SMB5939BT3GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1SMB5939BT3G | |
| 관련 링크 | 1SMB593, 1SMB5939BT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CRCW12103R65FNEA | RES SMD 3.65 OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW12103R65FNEA.pdf | |
![]() | 4114R-1-683LF | RES ARRAY 7 RES 68K OHM 14DIP | 4114R-1-683LF.pdf | |
![]() | HZ6C-1TA | HZ6C-1TA HITACHI SMD or Through Hole | HZ6C-1TA.pdf | |
![]() | ECCAVS100fG | ECCAVS100fG PANASONICYXCDDT- df ABB0000 ABB0000CE11 pdf | ECCAVS100fG.pdf | |
![]() | FES10CT-E3/45 | FES10CT-E3/45 VISHAY TO-220 | FES10CT-E3/45.pdf | |
![]() | A50L-0001-0383 | A50L-0001-0383 FUJI SMD or Through Hole | A50L-0001-0383.pdf | |
![]() | KD108A | KD108A KD SOP18 | KD108A.pdf | |
![]() | LPC1765FET100.551 | LPC1765FET100.551 NXP SMD or Through Hole | LPC1765FET100.551.pdf | |
![]() | S3C2410A20-Y0R0 | S3C2410A20-Y0R0 SAMSUNG QFPLEAD | S3C2410A20-Y0R0.pdf | |
![]() | 59RM716BGB-8 | 59RM716BGB-8 TOS BGA | 59RM716BGB-8.pdf | |
![]() | 74LCX112 | 74LCX112 FAI SOP3.9 | 74LCX112.pdf | |
![]() | NE688M13 NOPB | NE688M13 NOPB NEC SOT-523 | NE688M13 NOPB.pdf |