창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1SMA5932BT3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1SMA59xxBT3G, SZ1SMA59xxBT3G Series | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Assebly/Test Site 18/Mar/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 20V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 14옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 15.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AC, SMA | |
공급 장치 패키지 | SMA | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | 1SMA5932BT3G-ND 1SMA5932BT3GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1SMA5932BT3G | |
관련 링크 | 1SMA593, 1SMA5932BT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
GRM219R61H225KE15J | 2.2µF 50V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM219R61H225KE15J.pdf | ||
1537-26K | 3.9µH Unshielded Molded Inductor 310mA 2.3 Ohm Max Axial | 1537-26K.pdf | ||
AHA10AJB-4R7 | RES CHAS MNT 4.7 OHM 5% 10W | AHA10AJB-4R7.pdf | ||
MPMT10015001CT1 | RES NTWRK 2 RES MULT OHM TO236-3 | MPMT10015001CT1.pdf | ||
TDC1041R3C | TDC1041R3C RAYTHEON SMD or Through Hole | TDC1041R3C.pdf | ||
MMZ1005A222ET | MMZ1005A222ET TDK SMD or Through Hole | MMZ1005A222ET.pdf | ||
MX-1289 | MX-1289 N/A QFP | MX-1289.pdf | ||
G4W-2212P-US-TV5-DC12V | G4W-2212P-US-TV5-DC12V OMRON DIP | G4W-2212P-US-TV5-DC12V.pdf | ||
MB93405 | MB93405 ORIGINAL BGA | MB93405.pdf | ||
AT49F512-90PU | AT49F512-90PU ORIGINAL DIP | AT49F512-90PU.pdf | ||
D5XB-60 | D5XB-60 ORIGINAL DIP | D5XB-60.pdf | ||
LT1573CS8-2.5#TR | LT1573CS8-2.5#TR LINEAR SMD or Through Hole | LT1573CS8-2.5#TR.pdf |