창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1SMA5919BT3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1SMA59xxBT3G, SZ1SMA59xxBT3G Series | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Assebly/Test Site 18/Mar/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1559 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2.5µA @ 3V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AC, SMA | |
공급 장치 패키지 | SMA | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | 1SMA5919BT3GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1SMA5919BT3G | |
관련 링크 | 1SMA591, 1SMA5919BT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | ECH8668-TL-H | MOSFET N/P-CH 20V 7.5A/5A ECH8 | ECH8668-TL-H.pdf | |
![]() | IXTX8N150L | MOSFET N-CH 1500V 8A PLUS247 | IXTX8N150L.pdf | |
LVM25FVR050E-TR | RES SMD 0.05 OHM 1% 1W 2512 | LVM25FVR050E-TR.pdf | ||
![]() | TRA3650S3P-002 | OMNI PH 3.65-3.70G 3DBI 100W BK | TRA3650S3P-002.pdf | |
![]() | UD856900 | UD856900 FSL SMD or Through Hole | UD856900.pdf | |
![]() | ISPPAC-POWR1208-01TN44I ROHS | ISPPAC-POWR1208-01TN44I ROHS LATTICE SMD or Through Hole | ISPPAC-POWR1208-01TN44I ROHS.pdf | |
![]() | MM592l | MM592l M SOP4 | MM592l.pdf | |
![]() | HC4021 | HC4021 HIT SOP5.2 | HC4021.pdf | |
![]() | OV2620 | OV2620 OMNIVISI NA | OV2620.pdf | |
![]() | BZX55C120V | BZX55C120V ST DO-35 | BZX55C120V.pdf | |
![]() | 452003.MR(3A) | 452003.MR(3A) ORIGINAL 1808 | 452003.MR(3A).pdf | |
![]() | PCA82C250T/N4_NXP | PCA82C250T/N4_NXP NXP SMD or Through Hole | PCA82C250T/N4_NXP.pdf |