창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1PMT5953BE3/TR7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1PMT5913B-1PMT5956B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 150V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 600옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 114V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-216AA | |
공급 장치 패키지 | DO-216AA | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1PMT5953BE3/TR7 | |
관련 링크 | 1PMT5953B, 1PMT5953BE3/TR7 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | EGF1C-E3/67A | DIODE GEN PURP 150V 1A DO214BA | EGF1C-E3/67A.pdf | |
![]() | SDR1006-5R6ML | 5.6µH Unshielded Wirewound Inductor 3.8A 40 mOhm Max Nonstandard | SDR1006-5R6ML.pdf | |
![]() | SC3DF-2R2 | 2.2µH Unshielded Wirewound Inductor 2.3A 108 mOhm Max Nonstandard | SC3DF-2R2.pdf | |
![]() | MPC857DSLVR | MPC857DSLVR FEESCAL BGA | MPC857DSLVR.pdf | |
![]() | MB87F1611PFV-G-BND | MB87F1611PFV-G-BND FUJ QFP | MB87F1611PFV-G-BND.pdf | |
![]() | 296P | 296P ST DIP | 296P.pdf | |
![]() | CMH322522-331KL | CMH322522-331KL BOURNS SMD or Through Hole | CMH322522-331KL.pdf | |
![]() | A517 | A517 N/A QFN-10 | A517.pdf | |
![]() | EMK105SD222KV-T | EMK105SD222KV-T TAIYO SMD | EMK105SD222KV-T.pdf | |
![]() | LLQ21012-E39NJ | LLQ21012-E39NJ ORIGINAL SMD or Through Hole | LLQ21012-E39NJ.pdf | |
![]() | A8901 | A8901 UC SOP | A8901.pdf | |
![]() | ZC433274CFN | ZC433274CFN MOT SMD or Through Hole | ZC433274CFN.pdf |