창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1PMT5946CE3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1PMT5913B-1PMT5956B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 75V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 140옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 56V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-216AA | |
공급 장치 패키지 | DO-216AA | |
표준 포장 | 12,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1PMT5946CE3/TR13 | |
관련 링크 | 1PMT5946C, 1PMT5946CE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | GRM1557U1A362JA01D | 3600pF 10V 세라믹 커패시터 U2J 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1557U1A362JA01D.pdf | |
![]() | 102S42E3R9CV4E | 3.9pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | 102S42E3R9CV4E.pdf | |
![]() | M15G479D2 | 4.7pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.130" W(3.81mm x 3.30mm) | M15G479D2.pdf | |
![]() | ECQ-V1H274JL3 | 0.27µF Film Capacitor 50V Polyester, Metallized - Stacked Radial 0.287" L x 0.181" W (7.30mm x 4.60mm) | ECQ-V1H274JL3.pdf | |
![]() | SIT8008ACF8-30S | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3V 4.5mA Standby | SIT8008ACF8-30S.pdf | |
![]() | CC2531EMK | KIT EVAL MODULE FOR CC2531 | CC2531EMK.pdf | |
![]() | R2410S-2B1-B202 | R2410S-2B1-B202 HT SMD or Through Hole | R2410S-2B1-B202.pdf | |
![]() | BUK573-60A | BUK573-60A PH TO-220F | BUK573-60A.pdf | |
![]() | SBP1040 | SBP1040 GIE TO-220 | SBP1040.pdf | |
![]() | S29AS008J70BFI030 | S29AS008J70BFI030 Spansion SMD or Through Hole | S29AS008J70BFI030.pdf | |
![]() | VMB40-12F | VMB40-12F ASI SMD or Through Hole | VMB40-12F.pdf | |
![]() | KMC9BRD-4S(75) | KMC9BRD-4S(75) HIROSE SMD or Through Hole | KMC9BRD-4S(75).pdf |