창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1PMT5939BE3/TR7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1PMT5913B-1PMT5956B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 39V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 45옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 29.7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-216AA | |
| 공급 장치 패키지 | DO-216AA | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1PMT5939BE3/TR7 | |
| 관련 링크 | 1PMT5939B, 1PMT5939BE3/TR7 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | SR211A181JAR | 180pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR211A181JAR.pdf | |
![]() | VY2101K29Y5SS6TV5 | 100pF 440VAC 세라믹 커패시터 Y5S 방사형, 디스크 0.295" Dia(7.50mm) | VY2101K29Y5SS6TV5.pdf | |
![]() | MCR10ERTF1333 | RES SMD 133K OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10ERTF1333.pdf | |
![]() | 1258M | 1258M AGERE BGA | 1258M.pdf | |
![]() | DM74S570AJ | DM74S570AJ NS DIP | DM74S570AJ.pdf | |
![]() | M50453-02P | M50453-02P MIT SDIP | M50453-02P.pdf | |
![]() | PIC24FJ128GB106-I/ML | PIC24FJ128GB106-I/ML ORIGINAL QFN | PIC24FJ128GB106-I/ML.pdf | |
![]() | MGA-82563-1HA | MGA-82563-1HA AGIL SMD or Through Hole | MGA-82563-1HA.pdf | |
![]() | 28C04A-15P | 28C04A-15P MICROCHIP DIP24 | 28C04A-15P.pdf | |
![]() | XC4VLX60-11FF668I | XC4VLX60-11FF668I XilinX BGA-668 | XC4VLX60-11FF668I.pdf | |
![]() | CND2B10TTE333J | CND2B10TTE333J KOA SMD or Through Hole | CND2B10TTE333J.pdf | |
![]() | GF4800-5B(SI4800DY) | GF4800-5B(SI4800DY) N/A N A | GF4800-5B(SI4800DY).pdf |