창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1PMT5932E3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1PMT5913B-1PMT5956B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 20V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 14옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 15.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-216AA | |
공급 장치 패키지 | DO-216AA | |
표준 포장 | 12,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1PMT5932E3/TR13 | |
관련 링크 | 1PMT5932E, 1PMT5932E3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
ISC1812ES3R9J | 3.9µH Shielded Wirewound Inductor 344mA 590 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812ES3R9J.pdf | ||
ERJ-6ENF3322V | RES SMD 33.2K OHM 1% 1/8W 0805 | ERJ-6ENF3322V.pdf | ||
RT0805FRD071K91L | RES SMD 1.91K OHM 1% 1/8W 0805 | RT0805FRD071K91L.pdf | ||
HGDEST031A | HGDEST031A ALPS SOT23 | HGDEST031A.pdf | ||
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M6656A-665 | M6656A-665 MIT DIP | M6656A-665.pdf | ||
VLF4012AT-3R3M1R0-2 | VLF4012AT-3R3M1R0-2 TDK 3.73.51.2 | VLF4012AT-3R3M1R0-2.pdf | ||
160300-0 | 160300-0 TYCO SMD or Through Hole | 160300-0.pdf | ||
TC7SH08F TEL:82766440 | TC7SH08F TEL:82766440 TOSHIBA SMD or Through Hole | TC7SH08F TEL:82766440.pdf | ||
LPC2919FBD14 | LPC2919FBD14 NXP QFP | LPC2919FBD14.pdf | ||
N05D12A-1W | N05D12A-1W YHT SMD or Through Hole | N05D12A-1W.pdf |