창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1PMT5932BE3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1PMT5913B-1PMT5956B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 20V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 14옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 15.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-216AA | |
| 공급 장치 패키지 | DO-216AA | |
| 표준 포장 | 12,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1PMT5932BE3/TR13 | |
| 관련 링크 | 1PMT5932B, 1PMT5932BE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | BZW04-64-E3/54 | TVS DIODE 64.1VWM 103VC DO204AL | BZW04-64-E3/54.pdf | |
![]() | EGF477M1EG1BTC**P | EGF477M1EG1BTC**P ORIGINAL SMD or Through Hole | EGF477M1EG1BTC**P.pdf | |
![]() | RICOH21131 | RICOH21131 ORIGINAL TSSOP | RICOH21131.pdf | |
![]() | M5M418165CJ-5 | M5M418165CJ-5 MIT SOJ-42 | M5M418165CJ-5.pdf | |
![]() | BM07B-XAES-TF(LF)(SN) | BM07B-XAES-TF(LF)(SN) JST SMD or Through Hole | BM07B-XAES-TF(LF)(SN).pdf | |
![]() | BM80A-300L-050F40 | BM80A-300L-050F40 ASTEC SMD or Through Hole | BM80A-300L-050F40.pdf | |
![]() | 1N1398 | 1N1398 microsemi DO-8 | 1N1398.pdf | |
![]() | RW1C336M0811M | RW1C336M0811M samwha DIP-2 | RW1C336M0811M.pdf | |
![]() | BB02-GZ102-K03-A0000 | BB02-GZ102-K03-A0000 gradconn SMD or Through Hole | BB02-GZ102-K03-A0000.pdf | |
![]() | CS0603-100G | CS0603-100G PREMO O6O3 | CS0603-100G.pdf | |
![]() | TMP3107 | TMP3107 TOSHIBA ZIP | TMP3107.pdf | |
![]() | DTC8C | DTC8C SAY TO-220 | DTC8C.pdf |