창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1PMT5929E3/TR7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1PMT5913B-1PMT5956B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 15V | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 8옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 11.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-216AA | |
| 공급 장치 패키지 | DO-216AA | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1PMT5929E3/TR7 | |
| 관련 링크 | 1PMT5929, 1PMT5929E3/TR7 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | S1PJHM3J/84A | DIODE GPP 1A 600V DO-220AA | S1PJHM3J/84A.pdf | |
![]() | AIUR-02H-2R2M | 2.2µH Unshielded Wirewound Inductor 3.2A 26 mOhm Max Radial | AIUR-02H-2R2M.pdf | |
![]() | RT0603BRD0762KL | RES SMD 62K OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRD0762KL.pdf | |
![]() | T600 | T600 NS SOP-20 | T600.pdf | |
![]() | P082D07 | P082D07 TYCO SMD or Through Hole | P082D07.pdf | |
![]() | S-75-18 | S-75-18 OSGD null | S-75-18.pdf | |
![]() | 25LC256I/SM | 25LC256I/SM MICROCHIP SOP8 | 25LC256I/SM.pdf | |
![]() | ICS531200A | ICS531200A ICS SMD or Through Hole | ICS531200A.pdf | |
![]() | 10V 226Z | 10V 226Z ORIGINAL SMD or Through Hole | 10V 226Z.pdf | |
![]() | CCJRVC1H100F100J | CCJRVC1H100F100J ORIGINAL SMD or Through Hole | CCJRVC1H100F100J .pdf | |
![]() | CXD1309B | CXD1309B SONY QFP | CXD1309B.pdf | |
![]() | CSI25C128WI | CSI25C128WI CATALYST SOP-8 | CSI25C128WI.pdf |