창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1PMT5928E3/TR7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1PMT5913B-1PMT5956B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 13V | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 7옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 9.9V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-216AA | |
| 공급 장치 패키지 | DO-216AA | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1PMT5928E3/TR7 | |
| 관련 링크 | 1PMT5928, 1PMT5928E3/TR7 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
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![]() | VLS5045EX-3R3N | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 4.2A 35.1 mOhm Max Nonstandard | VLS5045EX-3R3N.pdf | |
![]() | BC160-10 | BC160-10 PH TO-5 | BC160-10.pdf | |
![]() | T74LS367AB1 | T74LS367AB1 ST DIP-16L | T74LS367AB1.pdf | |
![]() | MB423 | MB423 FUJITSU DIP16 | MB423.pdf | |
![]() | M30624MGA-113FP | M30624MGA-113FP MIT QFP | M30624MGA-113FP.pdf | |
![]() | 2SK2551 | 2SK2551 TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SK2551.pdf | |
![]() | MMZ2012D800BT024 | MMZ2012D800BT024 TDK SMD or Through Hole | MMZ2012D800BT024.pdf | |
![]() | KBJ2503G | KBJ2503G SEP DIP-4 | KBJ2503G.pdf | |
![]() | EL0606SKI-1R5M | EL0606SKI-1R5M TDK SMD or Through Hole | EL0606SKI-1R5M.pdf | |
![]() | SM320C25FJM | SM320C25FJM TI PLCC | SM320C25FJM.pdf | |
![]() | AP6401B-PV | AP6401B-PV ANSC SOT23-6 | AP6401B-PV.pdf |