창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1PMT5926CE3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1PMT5913B-1PMT5956B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 11V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 5.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 8.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-216AA | |
| 공급 장치 패키지 | DO-216AA | |
| 표준 포장 | 12,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1PMT5926CE3/TR13 | |
| 관련 링크 | 1PMT5926C, 1PMT5926CE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
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| NS12575T6R8NN | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 5.84A 15.72 mOhm Max Nonstandard | NS12575T6R8NN.pdf | ||
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![]() | C884G | C884G NEC SOP3.9 | C884G.pdf | |
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![]() | UNR32A7G0LBF- | UNR32A7G0LBF- ORIGINAL SOT723 | UNR32A7G0LBF-.pdf | |
![]() | ENC-03RA-R | ENC-03RA-R muRata SMD or Through Hole | ENC-03RA-R.pdf | |
![]() | R5F6421DJFB | R5F6421DJFB Renesas SMD or Through Hole | R5F6421DJFB.pdf | |
![]() | RH5RE59AA-T1 | RH5RE59AA-T1 RICOH SOT-89 | RH5RE59AA-T1.pdf |