창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1PMT5926CE3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1PMT5913B-1PMT5956B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 11V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 5.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 8.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-216AA | |
| 공급 장치 패키지 | DO-216AA | |
| 표준 포장 | 12,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1PMT5926CE3/TR13 | |
| 관련 링크 | 1PMT5926C, 1PMT5926CE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | BSM100GB170DN2 | BSM100GB170DN2 ORIGINAL SMD or Through Hole | BSM100GB170DN2.pdf | |
![]() | KS88C0416-BAD | KS88C0416-BAD SAMSUNG SOP | KS88C0416-BAD.pdf | |
![]() | SST39VF016-120-4C-WH | SST39VF016-120-4C-WH SST TSOP | SST39VF016-120-4C-WH.pdf | |
![]() | RL1218JK07R075 | RL1218JK07R075 yageo SMD or Through Hole | RL1218JK07R075.pdf | |
![]() | BG1948MVC | BG1948MVC NS DIP-1C | BG1948MVC.pdf | |
![]() | 501-8CJ | 501-8CJ ORIGINAL PLCC44 | 501-8CJ.pdf | |
![]() | S6D0110A31 | S6D0110A31 SAMSUNG SMD or Through Hole | S6D0110A31.pdf | |
![]() | SN74ALVC244APWR | SN74ALVC244APWR TI TSSOP | SN74ALVC244APWR.pdf | |
![]() | 35-17-28A | 35-17-28A ORIGINAL SMD | 35-17-28A.pdf | |
![]() | AT6020 | AT6020 ORIGINAL SMD or Through Hole | AT6020.pdf | |
![]() | P5S1E920-M2 | P5S1E920-M2 ATMEL SOIC DIP | P5S1E920-M2.pdf | |
![]() | H12WD4850-10-7531 | H12WD4850-10-7531 CRYDOM SMD or Through Hole | H12WD4850-10-7531.pdf |