창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1PMT5925B/TR7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1PMT5913B-1PMT5956B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 4.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-216AA | |
공급 장치 패키지 | DO-216AA | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1PMT5925B/TR7 | |
관련 링크 | 1PMT592, 1PMT5925B/TR7 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | ERZ-V07V680CS | VARISTOR 68V 500A DISC 7MM | ERZ-V07V680CS.pdf | |
![]() | ABM8G-14.7456MHZ-18-D2Y-T | 14.7456MHz ±20ppm 수정 18pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM8G-14.7456MHZ-18-D2Y-T.pdf | |
![]() | 416F24023IAR | 24MHz ±20ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F24023IAR.pdf | |
![]() | ELC-3GN3R3N | 3.3µH Unshielded Inductor 970mA 130 mOhm Nonstandard | ELC-3GN3R3N.pdf | |
![]() | Y00621K60000F9L | RES 1.6K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y00621K60000F9L.pdf | |
![]() | R1005-620KF | R1005-620KF NA SMD or Through Hole | R1005-620KF.pdf | |
![]() | 1SV166-T1 | 1SV166-T1 NEC SOD123 | 1SV166-T1.pdf | |
![]() | 62H8022 | 62H8022 AMD PLCC | 62H8022.pdf | |
![]() | CMF553K300BEA | CMF553K300BEA VI RNFT91 43 32K 1 R | CMF553K300BEA.pdf | |
![]() | MC56F8014MFAE | MC56F8014MFAE Freescale LQFP32 | MC56F8014MFAE.pdf | |
![]() | 2SA922 | 2SA922 SONY TO-5 | 2SA922.pdf |