창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1PMT5919B/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1PMT5913B-1PMT5956B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 3V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-216AA | |
공급 장치 패키지 | DO-216AA | |
표준 포장 | 12,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1PMT5919B/TR13 | |
관련 링크 | 1PMT5919, 1PMT5919B/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | CDEP85NP-4R3MC-88 | 4.3µH Shielded Wirewound Inductor 8.3A 9.8 mOhm Max Nonstandard | CDEP85NP-4R3MC-88.pdf | |
![]() | EL357N(F)(TA)-G | Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SOP | EL357N(F)(TA)-G.pdf | |
![]() | CMF5531K600BEEB70 | RES 31.6K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5531K600BEEB70.pdf | |
![]() | NL252018T-100J | NL252018T-100J TDK SMD or Through Hole | NL252018T-100J.pdf | |
![]() | G5Q-1-EU-12DC | G5Q-1-EU-12DC OMRON SMD or Through Hole | G5Q-1-EU-12DC.pdf | |
![]() | SMI322522-121K | SMI322522-121K ORIGINAL SMD or Through Hole | SMI322522-121K.pdf | |
![]() | AM188ED-20VC | AM188ED-20VC AMD QFP | AM188ED-20VC.pdf | |
![]() | MC1330DP | MC1330DP MOT DIP8 | MC1330DP.pdf | |
![]() | CD4099BPW | CD4099BPW ORIGINAL SMD or Through Hole | CD4099BPW.pdf | |
![]() | DPE-1318SB01 | DPE-1318SB01 DPE SMD or Through Hole | DPE-1318SB01.pdf | |
![]() | MTV030-19 | MTV030-19 MYSON DIP | MTV030-19.pdf |