창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1PMT5918BE3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1PMT5913B-1PMT5956B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.1V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 4옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-216AA | |
공급 장치 패키지 | DO-216AA | |
표준 포장 | 12,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1PMT5918BE3/TR13 | |
관련 링크 | 1PMT5918B, 1PMT5918BE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
SK34B-TP | DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AA | SK34B-TP.pdf | ||
LQG18HN1N2S00D | 1.2nH Unshielded Multilayer Inductor 500mA 100 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | LQG18HN1N2S00D.pdf | ||
CRGV2010F221K | RES SMD 221K OHM 1% 1/2W 2010 | CRGV2010F221K.pdf | ||
CRCW2512680KFKTG | RES SMD 680K OHM 1% 1W 2512 | CRCW2512680KFKTG.pdf | ||
B39570X6989M100 | B39570X6989M100 EPCOS SIP-5 | B39570X6989M100.pdf | ||
QM200DY-24 | QM200DY-24 MIT SMD or Through Hole | QM200DY-24.pdf | ||
MC74AC541MEL | MC74AC541MEL MOT SMD | MC74AC541MEL.pdf | ||
S5D2650X01-100KHA22K | S5D2650X01-100KHA22K SAMSUNG QFP | S5D2650X01-100KHA22K.pdf | ||
34G3196 | 34G3196 IBM QFP160 | 34G3196.pdf | ||
SY2153 | SY2153 SIGTECH ZIP-5 | SY2153.pdf | ||
95PFR40 | 95PFR40 Vishay SMD or Through Hole | 95PFR40.pdf | ||
LN2010 | LN2010 LN WCSP | LN2010.pdf |