창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1PMT5916AE3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1PMT5913B-1PMT5956B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 6옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-216AA | |
공급 장치 패키지 | DO-216AA | |
표준 포장 | 12,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1PMT5916AE3/TR13 | |
관련 링크 | 1PMT5916A, 1PMT5916AE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | VJ1210A240JBGAT4X | 24pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) | VJ1210A240JBGAT4X.pdf | |
![]() | DSC1123CI1-125.0000 | 125MHz LVDS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 32mA Enable/Disable | DSC1123CI1-125.0000.pdf | |
![]() | DF04M-E3/45 | DIODE GPP 1A 400V 4DIP | DF04M-E3/45.pdf | |
![]() | FQPF5N90 | MOSFET N-CH 900V 3A TO-220F | FQPF5N90.pdf | |
![]() | CA3039SX | CA3039SX HARRIS CAN12 | CA3039SX.pdf | |
![]() | M48T09-120PC1 | M48T09-120PC1 ST DIP | M48T09-120PC1.pdf | |
![]() | US1FB-13-F | US1FB-13-F DIODES DO-214AA | US1FB-13-F.pdf | |
![]() | TC554001AFT-702 | TC554001AFT-702 SAMSUNG SOP | TC554001AFT-702.pdf | |
![]() | SDV3216A300C401NPTF | SDV3216A300C401NPTF SUNLORD 12064K | SDV3216A300C401NPTF.pdf | |
![]() | 58L256LI8FI-7.5A | 58L256LI8FI-7.5A MT SMD or Through Hole | 58L256LI8FI-7.5A.pdf | |
![]() | 1D06508E | 1D06508E TI QFP | 1D06508E.pdf | |
![]() | IRF38N20 | IRF38N20 IR TO-263 | IRF38N20.pdf |