창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1PMT4127CE3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1PMT46,40,41xxE3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWERMITE® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 56V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 250옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10nA @ 42.6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-216AA | |
| 공급 장치 패키지 | DO-216 | |
| 표준 포장 | 12,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1PMT4127CE3/TR13 | |
| 관련 링크 | 1PMT4127C, 1PMT4127CE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | SC50VB80-G | RECT BRIDGE GPP 800V 50A SCVB | SC50VB80-G.pdf | |
![]() | ULN2003ANE4 | TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP | ULN2003ANE4.pdf | |
![]() | HK160856NJ-T | 56nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 750 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | HK160856NJ-T.pdf | |
![]() | IGB15N60T | IGB15N60T INFINEON P-TO263-3-2 | IGB15N60T.pdf | |
![]() | BLM15HG102SN1 | BLM15HG102SN1 MURATA SMD | BLM15HG102SN1.pdf | |
![]() | MN101C439AD | MN101C439AD Panasonic TQFP-80 | MN101C439AD.pdf | |
![]() | LCN1206T-R27K-S | LCN1206T-R27K-S ORIGINAL SMD or Through Hole | LCN1206T-R27K-S.pdf | |
![]() | MX7845KR+T | MX7845KR+T MAXIM W.SO | MX7845KR+T.pdf | |
![]() | NFORCE2-IGP/A3 | NFORCE2-IGP/A3 NVIDIA BGA | NFORCE2-IGP/A3.pdf | |
![]() | CM21X7R473K16AT | CM21X7R473K16AT KYOCERA/AVX SMD or Through Hole | CM21X7R473K16AT.pdf |