창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1PMT4118C/TR7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1PMT46,40,41xxE3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWERMITE® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 27V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 150옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10nA @ 20.45V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-216AA | |
| 공급 장치 패키지 | DO-216 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1PMT4118C/TR7 | |
| 관련 링크 | 1PMT411, 1PMT4118C/TR7 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | CGA3E2X7R1H223M080AE | 0.022µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E2X7R1H223M080AE.pdf | |
![]() | 12065C471KAT2A | 470pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12065C471KAT2A.pdf | |
| EL4502S(TB)-V | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 8-SMD | EL4502S(TB)-V.pdf | ||
| RH050R5000FC02 | RES CHAS MNT 0.5 OHM 1% 50W | RH050R5000FC02.pdf | ||
![]() | 618-B-102G | 618-B-102G BI SOP16 | 618-B-102G.pdf | |
![]() | CSTCV14,28MXJ0H3TC20 | CSTCV14,28MXJ0H3TC20 murata SMD or Through Hole | CSTCV14,28MXJ0H3TC20.pdf | |
![]() | SNC1N21GHK | SNC1N21GHK TI BGA | SNC1N21GHK.pdf | |
![]() | TB6545F | TB6545F TOSHIBA SMD or Through Hole | TB6545F.pdf | |
![]() | RTC-4574SA:B3:ROHS | RTC-4574SA:B3:ROHS EPSON SMD or Through Hole | RTC-4574SA:B3:ROHS.pdf | |
![]() | CL03C6R8BA3GNNB | CL03C6R8BA3GNNB SAMSUNG SMD | CL03C6R8BA3GNNB.pdf | |
![]() | NLF322522T-2R2J | NLF322522T-2R2J TDK SMD or Through Hole | NLF322522T-2R2J.pdf |