창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N990B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N957B(-1)-1N992B(-1),e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 160V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 1700옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 121.6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AA, DO-7, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-7 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N990B | |
| 관련 링크 | 1N9, 1N990B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VS-T85HF60 | DIODE MODULE 600V 85A D-55 | VS-T85HF60.pdf | |
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![]() | MAX2207EBS+T10 | RF Detector IC Cellular, TDMA 800MHz ~ 2GHz -10dBm ~ 15dBm ±0.3dB 4-WFBGA, CSPBGA | MAX2207EBS+T10.pdf | |
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![]() | K4T1G164QE-HCE7 K4T51163QG-HCE6 K5L2731CAA-D77 | K4T1G164QE-HCE7 K4T51163QG-HCE6 K5L2731CAA-D77 SPASION SMD or Through Hole | K4T1G164QE-HCE7 K4T51163QG-HCE6 K5L2731CAA-D77.pdf | |
![]() | 100290101R01 | 100290101R01 ORIGINAL QFP | 100290101R01.pdf | |
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![]() | EVJ-Y15F03A | EVJ-Y15F03A Panasonic SMD or Through Hole | EVJ-Y15F03A.pdf | |
![]() | DL5228B | DL5228B ORIGINAL LL34 | DL5228B.pdf | |
![]() | TDA1517P/N2 D/C98 | TDA1517P/N2 D/C98 PHI SMD or Through Hole | TDA1517P/N2 D/C98.pdf | |
![]() | SAB8048P | SAB8048P SIEM DIP-40 | SAB8048P.pdf |