창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N985A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N957B(-1)-1N992B(-1),e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 100V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 500옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 76V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AA, DO-7, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-7 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N985A | |
관련 링크 | 1N9, 1N985A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | VJ1812A560KBGAT4X | 56pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A560KBGAT4X.pdf | |
![]() | 416F37422ADR | 37.4MHz ±20ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37422ADR.pdf | |
![]() | PATT0805E2001BGT1 | RES SMD 2K OHM 0.1% 1/5W 0805 | PATT0805E2001BGT1.pdf | |
![]() | ERA-3ARB4222V | RES SMD 42.2KOHM 0.1% 1/10W 0603 | ERA-3ARB4222V.pdf | |
![]() | RT1206WRB0727RL | RES SMD 27 OHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRB0727RL.pdf | |
![]() | TC81221F | TC81221F TOSHIBA QFP | TC81221F.pdf | |
![]() | AME5258-AEV120. | AME5258-AEV120. AME SOT23-5 | AME5258-AEV120..pdf | |
![]() | 16V/470UF | 16V/470UF ORIGINAL SMD or Through Hole | 16V/470UF.pdf | |
![]() | ZMDC830BTA | ZMDC830BTA ZETEX/DIODES SOT323 | ZMDC830BTA.pdf | |
![]() | R3112N301C-TR-F | R3112N301C-TR-F ORIGINAL SMD | R3112N301C-TR-F.pdf | |
![]() | PEC12-xxxxF-Sxxxx | PEC12-xxxxF-Sxxxx BOURNS SMD or Through Hole | PEC12-xxxxF-Sxxxx.pdf | |
![]() | BCM5389IFBG P11 | BCM5389IFBG P11 BROADCOM BGA | BCM5389IFBG P11.pdf |