창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N980A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N957B(-1)-1N992B(-1),e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 62V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 185옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 47.1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AA, DO-7, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-7 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N980A | |
| 관련 링크 | 1N9, 1N980A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | SIT9003AI-23-33EB-48.00000Y | OSC XO 3.3V 48MHZ OE 0.25% | SIT9003AI-23-33EB-48.00000Y.pdf | |
![]() | QL4090-2FQ28C | QL4090-2FQ28C QL QFP | QL4090-2FQ28C.pdf | |
![]() | TR3A685K016F3000 | TR3A685K016F3000 VISHAY SMD or Through Hole | TR3A685K016F3000.pdf | |
![]() | NL252018T3R3J | NL252018T3R3J tdk SMD or Through Hole | NL252018T3R3J.pdf | |
![]() | TLP781F(F) | TLP781F(F) TOSHIBA SMD or Through Hole | TLP781F(F).pdf | |
![]() | PM156-1427 | PM156-1427 PMI CDIP8 | PM156-1427.pdf | |
![]() | BSO119N03S(119N3S) | BSO119N03S(119N3S) Infineon SOP8 | BSO119N03S(119N3S).pdf | |
![]() | 54F138/BZA | 54F138/BZA NSC PLCC20 | 54F138/BZA.pdf | |
![]() | CL-190HG-C-T | CL-190HG-C-T ORIGINAL SMD or Through Hole | CL-190HG-C-T.pdf | |
![]() | PCA20EFD-U04S002 | PCA20EFD-U04S002 TDK SMD | PCA20EFD-U04S002.pdf | |
![]() | C083AI | C083AI TI DIP14 | C083AI.pdf | |
![]() | GRM0225C1C2R8CD05L | GRM0225C1C2R8CD05L MURATA SMD | GRM0225C1C2R8CD05L.pdf |