Microsemi Corporation 1N968B
- 제조업체 부품 번호
- 1N968B
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 20V 500MW DO7
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
1N968B 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,256.06000
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 1N968B 재고가 있습니다. 우리는 Microsemi Corporation 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Microsemi Corporation 전자 부품 전문. 1N968B 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. 1N968B가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- 1N968B 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
1N968B 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-1N968B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N957B(-1)-1N992B(-1),e3 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 20V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 25옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 15.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AA, DO-7, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-7 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 1N968BMS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N968B | |
| 관련 링크 | 1N9, 1N968B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
1N968B 의 관련 제품
 | B72770M131K72 | B72770M131K72 EPC SMD or Through Hole | B72770M131K72.pdf | |
| PH9204 | PH9204 M/A-COM SMD or Through Hole | PH9204.pdf | |
| MC10H211 | MC10H211 MOT PLCC | MC10H211.pdf | |
| LV0215-NASCA | LV0215-NASCA NEC BGA | LV0215-NASCA.pdf | |
| B1094-1 | B1094-1 MOTOROLA LCC | B1094-1.pdf | |
| K4X1G323PF-8GD8 | K4X1G323PF-8GD8 Samsung SMD or Through Hole | K4X1G323PF-8GD8.pdf | |
| CL31B474KBHNNNE (CL31B474KBNE) | CL31B474KBHNNNE (CL31B474KBNE) SAMSUNGEM Call | CL31B474KBHNNNE (CL31B474KBNE).pdf | |
| 4607X-104-RC/RCL | 4607X-104-RC/RCL BOURNS SMD or Through Hole | 4607X-104-RC/RCL.pdf | |
| S1L50552F30Q000 | S1L50552F30Q000 FUJTSU TQFP100 | S1L50552F30Q000.pdf | |
| G218AR-S4 | G218AR-S4 GMT SMD or Through Hole | G218AR-S4.pdf | |
| LNX2H182MSEGBN | LNX2H182MSEGBN NICHICON DIP | LNX2H182MSEGBN.pdf | |
| 1210 1% 0.068R | 1210 1% 0.068R SUPEROHM SMD or Through Hole | 1210 1% 0.068R.pdf |