창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N963B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N957B(-1)-1N992B(-1),e3 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 12V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 11.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 9.1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AA, DO-7, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-7 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 1N963BMS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N963B | |
| 관련 링크 | 1N9, 1N963B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | MAL211815152E3 | 1500µF 16V Aluminum Capacitors Axial, Can 305 mOhm 8000 Hrs @ 125°C | MAL211815152E3.pdf | |
![]() | AR0805FR-076M8L | RES SMD 6.8M OHM 1% 1/8W 0805 | AR0805FR-076M8L.pdf | |
![]() | 17101000112 | 17101000112 PHI TQFP44 | 17101000112.pdf | |
![]() | C2012Y5V1H106ZB | C2012Y5V1H106ZB TDK SMD | C2012Y5V1H106ZB.pdf | |
![]() | CAS10BJ30235CBG | CAS10BJ30235CBG ORIGINAL BGA | CAS10BJ30235CBG.pdf | |
![]() | BF998R NOPB | BF998R NOPB INFINEON SOT143 | BF998R NOPB.pdf | |
![]() | SST37VF010 90-3C-WH | SST37VF010 90-3C-WH MEMORY SMD | SST37VF010 90-3C-WH.pdf | |
![]() | CD4051* | CD4051* ORIGINAL DIP14 | CD4051*.pdf | |
![]() | 4872 9415 ID | 4872 9415 ID HITACHI SOP | 4872 9415 ID.pdf | |
![]() | XC2S200-5FG256C-ES | XC2S200-5FG256C-ES XILINX BGA | XC2S200-5FG256C-ES.pdf | |
![]() | R300 215R8RCBGA13F | R300 215R8RCBGA13F ATI BGA | R300 215R8RCBGA13F.pdf | |
![]() | GRP155R71H561KA01E | GRP155R71H561KA01E muRata SMD0402 | GRP155R71H561KA01E.pdf |