창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N963A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N957B(-1)-1N992B(-1),e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 12V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 11.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 9.1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AA, DO-7, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-7 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N963A | |
| 관련 링크 | 1N9, 1N963A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | HL023R3BTTR | 3.3nH Unshielded Multilayer Inductor 321mA 265 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | HL023R3BTTR.pdf | |
![]() | Y162513K0000T0W | RES SMD 13K OHM 0.01% 0.3W 1206 | Y162513K0000T0W.pdf | |
![]() | TNPW25123K74BEEG | RES SMD 3.74K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW25123K74BEEG.pdf | |
![]() | 216MFA4ALA12FK RS482M200M | 216MFA4ALA12FK RS482M200M ATI BGA | 216MFA4ALA12FK RS482M200M.pdf | |
![]() | NAZT102M10V10X10.5LBF | NAZT102M10V10X10.5LBF NICComponents SMD or Through Hole | NAZT102M10V10X10.5LBF.pdf | |
![]() | TRS-100A | TRS-100A SWCC DIP | TRS-100A.pdf | |
![]() | B9B | B9B N/A SC70-5 | B9B.pdf | |
![]() | MIC5201-3-3B | MIC5201-3-3B MICREL SOP8 | MIC5201-3-3B.pdf | |
![]() | AP6265C-33GV | AP6265C-33GV ANS SMD or Through Hole | AP6265C-33GV.pdf | |
![]() | M81016N | M81016N MIT DIP-20 | M81016N.pdf | |
![]() | MAX6194BESA-T | MAX6194BESA-T MAXIM sop8 | MAX6194BESA-T.pdf |