창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N962B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N957B(-1)-1N992B(-1),e3 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 11V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 9.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 8.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AA, DO-7, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-7 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 1N962BMS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N962B | |
| 관련 링크 | 1N9, 1N962B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | MAL209020682E3 | 6800µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 70 mOhm @ 100Hz 5000 Hrs @ 105°C | MAL209020682E3.pdf | |
![]() | UP1B-3R3-R | 3.3µH Unshielded Wirewound Inductor 2.9A 42.8 mOhm Max Nonstandard | UP1B-3R3-R.pdf | |
![]() | CP00079R100JE66 | RES 9.1 OHM 7W 5% AXIAL | CP00079R100JE66.pdf | |
![]() | C2012C0G1H050CT000A | C2012C0G1H050CT000A TDK SMD0805 | C2012C0G1H050CT000A.pdf | |
![]() | 50MXC6800M25X45 | 50MXC6800M25X45 RUBYCON DIP | 50MXC6800M25X45.pdf | |
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![]() | BDW73B | BDW73B TI SMD or Through Hole | BDW73B.pdf | |
![]() | P80C55A-2 | P80C55A-2 INTEL DIP | P80C55A-2.pdf | |
![]() | DHNF-10F-T-V-T/R | DHNF-10F-T-V-T/R ORIGINAL SMD or Through Hole | DHNF-10F-T-V-T/R.pdf | |
![]() | NJU6620NCH-A1 | NJU6620NCH-A1 ORIGINAL SMD or Through Hole | NJU6620NCH-A1.pdf | |
![]() | E35A2CBR | E35A2CBR KEC SMD or Through Hole | E35A2CBR.pdf |