창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N936A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N93x(B)-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9V | |
| 허용 오차 | - | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 20옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N936A | |
| 관련 링크 | 1N9, 1N936A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VS-5ECH06-M3/9AT | DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB | VS-5ECH06-M3/9AT.pdf | |
![]() | RN5VS29AA-TR | RN5VS29AA-TR RICOH SOT23-5 | RN5VS29AA-TR.pdf | |
![]() | MCP3301-BI/SN | MCP3301-BI/SN MICROCHIP SOIC8 | MCP3301-BI/SN.pdf | |
![]() | AT28HC256F-90UM | AT28HC256F-90UM ATMEL DIP | AT28HC256F-90UM.pdf | |
![]() | TEETE2201B | TEETE2201B TMS PQFP | TEETE2201B.pdf | |
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![]() | 606-1-062-50-1-2-00-NYU | 606-1-062-50-1-2-00-NYU WEITRONIC SMD or Through Hole | 606-1-062-50-1-2-00-NYU.pdf | |
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![]() | IXFR30N50 | IXFR30N50 IXYS TO- | IXFR30N50.pdf | |
![]() | SV 275 K 20 R L1 | SV 275 K 20 R L1 KEKO Call | SV 275 K 20 R L1.pdf | |
![]() | KPT-2012SYW | KPT-2012SYW KIBGBRIGHT ROHS | KPT-2012SYW.pdf | |
![]() | DA8512 | DA8512 SEC SMD or Through Hole | DA8512.pdf |