창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N828 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N82x(-1)(A) DO-7 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 3V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AA, DO-7, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-7 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N828 | |
관련 링크 | 1N8, 1N828 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
MP062-E | 6.25MHz ±30ppm 수정 30pF 40옴 -40°C ~ 85°C 스루홀 HC49/U | MP062-E.pdf | ||
LMBZ6V8LT1G | LMBZ6V8LT1G LRC SMD or Through Hole | LMBZ6V8LT1G.pdf | ||
2N4150 | 2N4150 NES CAN | 2N4150.pdf | ||
TC03C200A- TP02 | TC03C200A- TP02 SCIMAREC SMD or Through Hole | TC03C200A- TP02.pdf | ||
MGT560JMAWF56 | MGT560JMAWF56 MOROTOLA BGA | MGT560JMAWF56.pdf | ||
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AT89C51-20P1 | AT89C51-20P1 ATMEL DIP- | AT89C51-20P1.pdf | ||
UMH10 NTN | UMH10 NTN ROHM SOT363 | UMH10 NTN.pdf | ||
TTS27NSB-A11-26.000000MHZ | TTS27NSB-A11-26.000000MHZ TOKYODENPACOLTD ORIGINAL | TTS27NSB-A11-26.000000MHZ.pdf | ||
S6004DS1 | S6004DS1 Teccor/L TO-252 | S6004DS1.pdf | ||
TS0310W3 | TS0310W3 EMC SMD or Through Hole | TS0310W3.pdf | ||
TA7218 | TA7218 MAT DIP | TA7218.pdf |