창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N827AUR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N821UR-1N829AUR | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 3V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-213AA(유리) | |
공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N827AUR | |
관련 링크 | 1N82, 1N827AUR 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
416F26023ALT | 26MHz ±20ppm 수정 12pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26023ALT.pdf | ||
RL1206FR-7W0R91L | RES SMD 0.91 OHM 1% 1/2W 1206 | RL1206FR-7W0R91L.pdf | ||
TS820-600H-TR | TS820-600H-TR ST TO | TS820-600H-TR.pdf | ||
EX033B-14.745M | EX033B-14.745M KSS DIP8 | EX033B-14.745M.pdf | ||
INIC-1511 | INIC-1511 N/A NA | INIC-1511.pdf | ||
M57903L | M57903L MIT SIP-7P | M57903L.pdf | ||
AT45D041RI | AT45D041RI AT SOP | AT45D041RI.pdf | ||
640418-2 | 640418-2 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 640418-2.pdf | ||
IDT75C18Y | IDT75C18Y IDT DIP | IDT75C18Y.pdf | ||
BL-HY0W133B-TRB | BL-HY0W133B-TRB ORIGINAL SMD or Through Hole | BL-HY0W133B-TRB.pdf | ||
SCX6206EFL/V2 | SCX6206EFL/V2 NSC PLCC-44 | SCX6206EFL/V2.pdf | ||
70UR20A | 70UR20A IR SMD or Through Hole | 70UR20A.pdf |