창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N827A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N82x(-1)(A) DO-35 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 3V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N827A | |
| 관련 링크 | 1N8, 1N827A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | RQ3E180GNTB | MOSFET N-CH 30V 18A 8-HSMT | RQ3E180GNTB.pdf | |
![]() | CRCW12064K30FKEB | RES SMD 4.3K OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12064K30FKEB.pdf | |
![]() | RNF18FTC280K | RES 280K OHM 1/8W 1% AXIAL | RNF18FTC280K.pdf | |
![]() | NTC-T335M6.3TRPF | NTC-T335M6.3TRPF NIC SMD or Through Hole | NTC-T335M6.3TRPF.pdf | |
![]() | NJM2535VTE2 | NJM2535VTE2 JRC DIP SMD | NJM2535VTE2.pdf | |
![]() | LGM670 | LGM670 OSRAM SMD-LED | LGM670.pdf | |
![]() | 34116V1 | 34116V1 ST SOP8 | 34116V1.pdf | |
![]() | MU04-4101 | MU04-4101 Stanley DIP | MU04-4101.pdf | |
![]() | 0603 3ROC 50V | 0603 3ROC 50V FH SMD or Through Hole | 0603 3ROC 50V.pdf | |
![]() | K4D261638FTC50 | K4D261638FTC50 SAM TSOP2 | K4D261638FTC50.pdf | |
![]() | XC1704LPC44C.. | XC1704LPC44C.. XILINX PLCC | XC1704LPC44C...pdf |