창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N826 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N82x(-1)(A) DO-7 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 3V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AA, DO-7, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-7 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N826 | |
관련 링크 | 1N8, 1N826 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 445W2XF27M00000 | 27MHz ±20ppm 수정 24pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W2XF27M00000.pdf | |
![]() | ECS-3518-640-B-TR | 64MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 1.8V 25mA Enable/Disable | ECS-3518-640-B-TR.pdf | |
![]() | BYG23M-E3/TR | DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A | BYG23M-E3/TR.pdf | |
FP1008R1-R120-R | 120nH Unshielded Inductor 79A 0.17 mOhm Nonstandard | FP1008R1-R120-R.pdf | ||
![]() | RT1210CRD07510KL | RES SMD 510K OHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRD07510KL.pdf | |
![]() | Y162530R0000B9W | RES SMD 30 OHM 0.1% 0.3W 1206 | Y162530R0000B9W.pdf | |
![]() | LT318AJ8 | LT318AJ8 LT DIP | LT318AJ8.pdf | |
![]() | TI321611Z260 | TI321611Z260 WHOLE SMD | TI321611Z260.pdf | |
![]() | MB95F108AMWPFM-GE1 | MB95F108AMWPFM-GE1 FUJITSU 64pin LQFP | MB95F108AMWPFM-GE1.pdf | |
![]() | PC817X4NIP | PC817X4NIP SHARP SOP | PC817X4NIP.pdf | |
![]() | NC7S08P5X NOPB | NC7S08P5X NOPB FAIRCHIL SOT353 | NC7S08P5X NOPB.pdf | |
![]() | C0805KRX7R9BB122K | C0805KRX7R9BB122K YAGEO SMD or Through Hole | C0805KRX7R9BB122K.pdf |