창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N825AUR-1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N821UR-1 - 1N829AUR-1 DO-213AA | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 3V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-213AA(유리) | |
공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N825AUR-1 | |
관련 링크 | 1N825A, 1N825AUR-1 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 445W3XB27M00000 | 27MHz ±30ppm 수정 13pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W3XB27M00000.pdf | |
![]() | 0402-10PJ 50V | 0402-10PJ 50V SAMSUNG SMD or Through Hole | 0402-10PJ 50V.pdf | |
![]() | XC62RP0102PR | XC62RP0102PR TOREX SOT-89 | XC62RP0102PR.pdf | |
![]() | VSC9182GU | VSC9182GU VITESSE QFP | VSC9182GU.pdf | |
![]() | HDF76107D3S | HDF76107D3S ORIGINAL TO-252 | HDF76107D3S.pdf | |
![]() | CY7C291-15WMB | CY7C291-15WMB CY SMD or Through Hole | CY7C291-15WMB.pdf | |
![]() | 69830-020LF | 69830-020LF FCI SMD or Through Hole | 69830-020LF.pdf | |
![]() | LT1252CS8#TR | LT1252CS8#TR LT SOP | LT1252CS8#TR.pdf | |
![]() | MT8930AP | MT8930AP MITEL PLCC | MT8930AP.pdf | |
![]() | SSTYD-007 | SSTYD-007 ORIGINAL SMD or Through Hole | SSTYD-007.pdf | |
![]() | XT49U1474-S | XT49U1474-S VISHAY SMD or Through Hole | XT49U1474-S.pdf | |
![]() | NP90N04MUG | NP90N04MUG NEC TO-263 | NP90N04MUG.pdf |