창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N825A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N82x(-1)(A) DO-7 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 3V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AA, DO-7, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-7 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N825A | |
| 관련 링크 | 1N8, 1N825A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
| AA-37.050MAGV-T | 37.05MHz ±30ppm 수정 8pF 50옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | AA-37.050MAGV-T.pdf | ||
![]() | HVR3700003324FR500 | RES 3.32M OHM 1/2W 1% AXIAL | HVR3700003324FR500.pdf | |
![]() | MDF7N65BTH | MDF7N65BTH MAGNACHIP TO-220F | MDF7N65BTH.pdf | |
![]() | 2SC5585H T2L | 2SC5585H T2L ROHM SOT525 | 2SC5585H T2L.pdf | |
![]() | HM628512CLP-7SL | HM628512CLP-7SL HIT DIP | HM628512CLP-7SL.pdf | |
![]() | 82C55P | 82C55P ORIGINAL SMD or Through Hole | 82C55P.pdf | |
![]() | MAX3070EESD-LF | MAX3070EESD-LF XR SMD or Through Hole | MAX3070EESD-LF.pdf | |
![]() | SPX2954U-3.3 | SPX2954U-3.3 ORIGINAL TO-220 | SPX2954U-3.3 .pdf | |
![]() | KS22138L5 | KS22138L5 AMD CDIP28 | KS22138L5.pdf | |
![]() | CI-5508B-8 | CI-5508B-8 HARRIS DIP | CI-5508B-8.pdf | |
![]() | 55.32-24VAC | 55.32-24VAC QIANJI DIP | 55.32-24VAC.pdf | |
![]() | 2SA1016G | 2SA1016G SANYO SMD or Through Hole | 2SA1016G.pdf |