창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N823A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N82x(-1)(A) DO-7 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 3V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AA, DO-7, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-7 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N823A | |
관련 링크 | 1N8, 1N823A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 402F25033CJR | 25MHz ±30ppm 수정 9pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F25033CJR.pdf | |
![]() | RLB1314-220KL | 22µH Unshielded Wirewound Inductor 2.2A 26 mOhm Max Radial | RLB1314-220KL.pdf | |
![]() | CMF6547K500BEEB | RES 47.5K OHM 1.5W 0.1% AXIAL | CMF6547K500BEEB.pdf | |
![]() | 1206N101J251CXBA | 1206N101J251CXBA ORIGINAL SMD | 1206N101J251CXBA.pdf | |
![]() | TAC1A475M8R | TAC1A475M8R ROHM SMD | TAC1A475M8R.pdf | |
![]() | LTD340 | LTD340 LIT SMD | LTD340.pdf | |
![]() | 11A3-0.5W10V | 11A3-0.5W10V HIT DO-35 | 11A3-0.5W10V.pdf | |
![]() | HB56D25609A-10A | HB56D25609A-10A HIT SMD or Through Hole | HB56D25609A-10A.pdf | |
![]() | C36V5964A-52A | C36V5964A-52A MITSUBIS SMD or Through Hole | C36V5964A-52A.pdf | |
![]() | CX700M2 | CX700M2 ORIGINAL BGA | CX700M2.pdf | |
![]() | 10-251416-235 | 10-251416-235 AMPHENOLINDUSTRIAL NA | 10-251416-235.pdf |