창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N823 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N82x(-1)(A) DO-7 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 3V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AA, DO-7, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-7 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N823 | |
| 관련 링크 | 1N8, 1N823 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | CRGV2010F2M1 | RES SMD 2.1M OHM 1% 1/2W 2010 | CRGV2010F2M1.pdf | |
![]() | CTML1206F-120M | CTML1206F-120M CENTRAL SMD or Through Hole | CTML1206F-120M.pdf | |
![]() | 1M5819T3 | 1M5819T3 ROHM LL41 | 1M5819T3.pdf | |
![]() | MAXPE19ETX | MAXPE19ETX QFN MAX | MAXPE19ETX.pdf | |
![]() | LW541C-CWDW-35 | LW541C-CWDW-35 OSRAM ROHS | LW541C-CWDW-35.pdf | |
![]() | X0205MA2BL2 | X0205MA2BL2 XICR SMD or Through Hole | X0205MA2BL2.pdf | |
![]() | 1812-619K | 1812-619K ORIGINAL SMD or Through Hole | 1812-619K.pdf | |
![]() | CS01N60 | CS01N60 CS TO-251 | CS01N60.pdf | |
![]() | MV67538MP8B | MV67538MP8B FAIRCHILD ROHS | MV67538MP8B.pdf | |
![]() | LVS201610-3R3T-N | LVS201610-3R3T-N CHILISIN NA | LVS201610-3R3T-N.pdf | |
![]() | AN-3B22HL | AN-3B22HL ANZHOU SMD or Through Hole | AN-3B22HL.pdf | |
![]() | MMBT5401LT1D | MMBT5401LT1D ON SOT-23 | MMBT5401LT1D.pdf |