창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N823 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N82x(-1)(A) DO-7 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 3V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AA, DO-7, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-7 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N823 | |
| 관련 링크 | 1N8, 1N823 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1210Y333JBEAT4X | 0.033µF 500V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) | VJ1210Y333JBEAT4X.pdf | |
![]() | MCU0805MD1001BP100 | RES SMD 1K OHM 0.1% 1/5W 0805 | MCU0805MD1001BP100.pdf | |
![]() | CRCW08052K00JNTB | RES SMD 2K OHM 5% 1/8W 0805 | CRCW08052K00JNTB.pdf | |
![]() | 93J13R | RES 13 OHM 3.25W 5% AXIAL | 93J13R.pdf | |
![]() | CS4344-C/DZZR | CS4344-C/DZZR CIRRUS MSOP8 | CS4344-C/DZZR.pdf | |
![]() | 37000 | 37000 DESCOINDUSTRIES Small2.5x1.25x | 37000.pdf | |
![]() | NRS225M20R8 | NRS225M20R8 NEC SMD or Through Hole | NRS225M20R8.pdf | |
![]() | AH114-89TRG | AH114-89TRG WJ SMD or Through Hole | AH114-89TRG.pdf | |
![]() | X600 216PDAGA23F | X600 216PDAGA23F ATI SMD or Through Hole | X600 216PDAGA23F.pdf | |
![]() | 16L8-10C | 16L8-10C TI QFP | 16L8-10C.pdf | |
![]() | T1630N | T1630N MORNSUN DIP | T1630N.pdf | |
![]() | R1163N291D-TR-F | R1163N291D-TR-F RICOH SOT23-5 | R1163N291D-TR-F.pdf |