창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N822 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N82x(-1)(A) DO-7 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 3V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AA, DO-7, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-7 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N822 | |
| 관련 링크 | 1N8, 1N822 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 416F3601XCLR | 36MHz ±10ppm 수정 12pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F3601XCLR.pdf | |
![]() | S4924-565J | 5.6mH Shielded Inductor 61mA 98.9 Ohm Max Nonstandard | S4924-565J.pdf | |
![]() | ST-5ETW50KOHM(503) | ST-5ETW50KOHM(503) COPAL STOCK | ST-5ETW50KOHM(503).pdf | |
![]() | 046266519001894+ | 046266519001894+ KYOCERA SMD | 046266519001894+.pdf | |
![]() | NOKIA/DBI/START | NOKIA/DBI/START ST CONTRACTS | NOKIA/DBI/START.pdf | |
![]() | MC2006S | MC2006S MIC SOP | MC2006S.pdf | |
![]() | TI3031 | TI3031 TI TO-3 | TI3031.pdf | |
![]() | SI3000-C-FSR | SI3000-C-FSR SiliconLabs SMD or Through Hole | SI3000-C-FSR.pdf | |
![]() | MMK5224K100J02L4BULK | MMK5224K100J02L4BULK Kemet SMD or Through Hole | MMK5224K100J02L4BULK.pdf | |
![]() | SS2P2-E3/84A | SS2P2-E3/84A VISHAY SMD or Through Hole | SS2P2-E3/84A.pdf | |
![]() | APT30M85BVFR | APT30M85BVFR APT SMD or Through Hole | APT30M85BVFR.pdf | |
![]() | PT6302LQ-003(L) | PT6302LQ-003(L) PTC LQFP | PT6302LQ-003(L).pdf |