창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N821A, SEL. 1% VBR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N82x(-1)(A) DO-35 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 트레이 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
허용 오차 | ±1% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 3V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 100 | |
다른 이름 | Q8814842 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N821A, SEL. 1% VBR | |
관련 링크 | 1N821A, SEL, 1N821A, SEL. 1% VBR 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
SMB10J6.0A-M3/5B | TVS DIODE 6VWM 10.3VC | SMB10J6.0A-M3/5B.pdf | ||
PE-1008CD472GTT | 4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 260mA 4 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | PE-1008CD472GTT.pdf | ||
RC1608J272CS | RES SMD 2.7K OHM 5% 1/10W 0603 | RC1608J272CS.pdf | ||
4766.3V10%B | 4766.3V10%B avetron SMD or Through Hole | 4766.3V10%B.pdf | ||
TAS-2016B 40950.000KHZ | TAS-2016B 40950.000KHZ TEW SMD | TAS-2016B 40950.000KHZ.pdf | ||
2SC4226/R24 | 2SC4226/R24 NEC SOT-323 | 2SC4226/R24.pdf | ||
SC414456PB0VR | SC414456PB0VR HP/FREESCALE BGA | SC414456PB0VR.pdf | ||
LM6171B | LM6171B NS SOP | LM6171B.pdf | ||
2PB709AW | 2PB709AW ORIGINAL SOT-323 | 2PB709AW.pdf | ||
CRA2010FZR055ELF | CRA2010FZR055ELF VISHAY SMD | CRA2010FZR055ELF.pdf | ||
XC3S400FT256-4I | XC3S400FT256-4I ORIGINAL BGA | XC3S400FT256-4I.pdf | ||
221-179-01 | 221-179-01 HITACHI DIP-28 | 221-179-01.pdf |