창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N8035-GA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N8035-GA | |
| 설계 리소스 | 1N8035-GA Spice Model | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 실리콘 카바이드 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 650V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 14.6A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 15A | |
| 속도 | 회복 시간 없음 > 500mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 0ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 650V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 1107pF @ 1V, 1MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-276AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-276 | |
| 작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 250°C | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 다른 이름 | 1242-1122 1N8035GA | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N8035-GA | |
| 관련 링크 | 1N803, 1N8035-GA 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | H4P383RDZA | RES 383 OHM 1W 0.5% AXIAL | H4P383RDZA.pdf | |
| TBPDANN015PGUCV | Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Vented Gauge Male - 0.08" (2.54mm) Tube 0 mV ~ 26.25 mV (5V) 4-DIP (0.453", 11.50mm), Top Port | TBPDANN015PGUCV.pdf | ||
![]() | D75106GF-742 | D75106GF-742 NEC SMD or Through Hole | D75106GF-742.pdf | |
![]() | BF996S-T1 | BF996S-T1 ORIGINAL SMD or Through Hole | BF996S-T1.pdf | |
![]() | DS16EV5110SQX | DS16EV5110SQX NS LLP | DS16EV5110SQX.pdf | |
![]() | M28W320DB70N6H | M28W320DB70N6H SGS TSOP1 | M28W320DB70N6H.pdf | |
![]() | VI-253-EW | VI-253-EW VICOR SMD or Through Hole | VI-253-EW.pdf | |
![]() | LM116AH/883Q | LM116AH/883Q NS SMD or Through Hole | LM116AH/883Q.pdf |