창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N736A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 82V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 250mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 280옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | - | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N736A | |
관련 링크 | 1N7, 1N736A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | RT1206BRD0740K2L | RES SMD 40.2K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRD0740K2L.pdf | |
![]() | TC124-FR-0730R1L | RES ARRAY 4 RES 30.1 OHM 0804 | TC124-FR-0730R1L.pdf | |
![]() | 1N5819M | 1N5819M GS DO-213AB | 1N5819M.pdf | |
![]() | STR6708 | STR6708 SANKEN ZIP | STR6708.pdf | |
![]() | BS236UH25V1000T | BS236UH25V1000T ORIGINAL MODULE | BS236UH25V1000T.pdf | |
![]() | CDSCB10M7GF122T-R0 | CDSCB10M7GF122T-R0 MURATA NULL | CDSCB10M7GF122T-R0.pdf | |
![]() | KPY32069427K | KPY32069427K SIGNETICS SMD or Through Hole | KPY32069427K.pdf | |
![]() | BTA12-600BRG/BTA12-600BW | BTA12-600BRG/BTA12-600BW ST SMD or Through Hole | BTA12-600BRG/BTA12-600BW.pdf | |
![]() | bf1212wr.115 | bf1212wr.115 nxp SMD or Through Hole | bf1212wr.115.pdf | |
![]() | PLCC44SMTTT | PLCC44SMTTT ROBNUGENT SMD or Through Hole | PLCC44SMTTT.pdf |