창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N732A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 56V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 250mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 140m옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | - | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N732A | |
관련 링크 | 1N7, 1N732A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 1N4448WS-E3-18 | DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323 | 1N4448WS-E3-18.pdf | |
![]() | 4302R-821H | 820nH Unshielded Inductor 540mA 510 mOhm Max 2-SMD | 4302R-821H.pdf | |
![]() | 10072706-518A0 | 10072706-518A0 FCI ROHS | 10072706-518A0.pdf | |
![]() | RT1N430M-T311-1 | RT1N430M-T311-1 MITSUBISH SOT-323 | RT1N430M-T311-1.pdf | |
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![]() | NTCCS20123NH10KJC | NTCCS20123NH10KJC TDK SMD or Through Hole | NTCCS20123NH10KJC.pdf | |
![]() | SN55363J | SN55363J TI DIP | SN55363J.pdf | |
![]() | GL-G24-5W | GL-G24-5W ORIGINAL SMD or Through Hole | GL-G24-5W.pdf | |
![]() | DZ23C14 | DZ23C14 PANJIT SOT-23 | DZ23C14.pdf | |
![]() | RC1218JK0720R | RC1218JK0720R yageo INSTOCKPACK4000 | RC1218JK0720R.pdf | |
![]() | SN7002N E6327 SOT23-SN | SN7002N E6327 SOT23-SN INFINEON SMD or Through Hole | SN7002N E6327 SOT23-SN.pdf | |
![]() | BM25060X6PBF | BM25060X6PBF NIPPON DIP | BM25060X6PBF.pdf |