창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N731 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 51V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 115옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | - | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N731 | |
| 관련 링크 | 1N7, 1N731 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 2020-23T-C4LF | GDT 180V 10KA THROUGH HOLE | 2020-23T-C4LF.pdf | |
![]() | LBR2518T1R0MV | 1µH Unshielded Wirewound Inductor 960mA 45 mOhm Nonstandard | LBR2518T1R0MV.pdf | |
![]() | AMDSL135KC | AMDSL135KC AMD QFP | AMDSL135KC.pdf | |
![]() | MBL6840H | MBL6840H Fujitsu CuDIP28 | MBL6840H.pdf | |
![]() | ICE3AR10080JZ | ICE3AR10080JZ INFINEON SMD or Through Hole | ICE3AR10080JZ.pdf | |
![]() | NSC831D/883 | NSC831D/883 NS DIP | NSC831D/883.pdf | |
![]() | 25G456EM | 25G456EM ORIGINAL SOP8 | 25G456EM.pdf | |
![]() | PMB4720FV3.5 | PMB4720FV3.5 SIE TSSOP | PMB4720FV3.5.pdf | |
![]() | MSM508 | MSM508 OKI DIP14 | MSM508.pdf | |
![]() | 56F | 56F YUANDEAN SOPDIP | 56F.pdf | |
![]() | SN74LS266J | SN74LS266J TI CDIP14 | SN74LS266J.pdf |