창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N730 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 47V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 250mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 98옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | - | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N730 | |
관련 링크 | 1N7, 1N730 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
EET-HC2E471CA | 470µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 353 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C | EET-HC2E471CA.pdf | ||
SA-315H 16.00MF15X-A | 16MHz ±10ppm 수정 12.5pF -40°C ~ 85°C 스루홀 원통형 캔, 레이디얼 | SA-315H 16.00MF15X-A.pdf | ||
MCD26-16IO1B | MOD THYRISTOR/DIO 1600V TO-240AA | MCD26-16IO1B.pdf | ||
BCR30GM-8 | BCR30GM-8 MIT RD91 | BCR30GM-8.pdf | ||
225F1EN6-A | 225F1EN6-A ORIGINAL BGA | 225F1EN6-A.pdf | ||
CT20ASJ-8-A1 | CT20ASJ-8-A1 ORIGINAL TO-251 | CT20ASJ-8-A1.pdf | ||
FAR-D5CF-881M50-D1F2-V | FAR-D5CF-881M50-D1F2-V ORIGINAL SMD or Through Hole | FAR-D5CF-881M50-D1F2-V.pdf | ||
DF19L-14P-1H (56) | DF19L-14P-1H (56) HRS SMD or Through Hole | DF19L-14P-1H (56).pdf | ||
SA1962AM | SA1962AM SAWNICS 3.0x3.0 | SA1962AM.pdf | ||
J2N6673 | J2N6673 MOT TO-3 | J2N6673.pdf | ||
A646CY-680M | A646CY-680M TOKO SMD or Through Hole | A646CY-680M.pdf | ||
SIS671 A1 BD | SIS671 A1 BD SIS BGA | SIS671 A1 BD.pdf |