창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N729 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 43V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 84옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | - | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N729 | |
| 관련 링크 | 1N7, 1N729 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 15KPA24CA-B | TVS DIODE 24VWM 40.7VC AXIAL | 15KPA24CA-B.pdf | |
![]() | 4P049F35IET | 4.9152MHz ±30ppm 수정 20pF 120옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 4P049F35IET.pdf | |
![]() | MMBT8550 AHR | MMBT8550 AHR ST SOT-23 | MMBT8550 AHR.pdf | |
![]() | R10-E1-W2-V7000 | R10-E1-W2-V7000 Tyco con | R10-E1-W2-V7000.pdf | |
![]() | TE28F160C3TA100 | TE28F160C3TA100 INTEL TSOP | TE28F160C3TA100.pdf | |
![]() | AT24C256BN-SI-1.8 | AT24C256BN-SI-1.8 AT SOIC | AT24C256BN-SI-1.8.pdf | |
![]() | CD3207GP | CD3207GP CSC DIP | CD3207GP.pdf | |
![]() | ALS569A | ALS569A TI SOP-20 | ALS569A.pdf | |
![]() | 1907-12 | 1907-12 TOKO SMD or Through Hole | 1907-12.pdf | |
![]() | TC7SZ08F /J2 | TC7SZ08F /J2 TOSHIBA 23-5 | TC7SZ08F /J2.pdf | |
![]() | Q033-428 | Q033-428 ATMEL QFN | Q033-428.pdf | |
![]() | LQH1N100K04M00-01 100-1206 | LQH1N100K04M00-01 100-1206 MURATA SMD or Through Hole | LQH1N100K04M00-01 100-1206.pdf |