창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N706A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.8V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 250mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 20옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 5.8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N706A | |
관련 링크 | 1N7, 1N706A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | QXP2G105KRPT | 1µF Film Capacitor 160V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.240" L x 0.512" W (31.50mm x 13.00mm) | QXP2G105KRPT.pdf | |
NRS5014T220MMGGV | 22µH Shielded Wirewound Inductor 550mA 540 mOhm Max Nonstandard | NRS5014T220MMGGV.pdf | ||
![]() | PHT1206Y1001BGT200 | RES SMD 1K OHM 0.1% 1/10W 1206 | PHT1206Y1001BGT200.pdf | |
![]() | RC2010JK-07510KL | RES SMD 510K OHM 5% 3/4W 2010 | RC2010JK-07510KL.pdf | |
![]() | CRCW1206270RJNEAHP | RES SMD 270 OHM 5% 1/2W 1206 | CRCW1206270RJNEAHP.pdf | |
![]() | XR2207D-F | XR2207D-F XR SMD or Through Hole | XR2207D-F.pdf | |
![]() | P3103A20 | P3103A20 TI TSSOP | P3103A20.pdf | |
![]() | EVM7JSX30BE3 | EVM7JSX30BE3 Panasonic SMD or Through Hole | EVM7JSX30BE3.pdf | |
![]() | M51924P | M51924P MIT DIP | M51924P.pdf | |
![]() | HMC569LC5 | HMC569LC5 HITTITE SMD or Through Hole | HMC569LC5.pdf | |
![]() | LQG11A82NJ00T1M00 | LQG11A82NJ00T1M00 MURATA 0603-82NJ | LQG11A82NJ00T1M00.pdf | |
![]() | SI7912 | SI7912 VISHAY PGA | SI7912.pdf |