창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6700US | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N6700US-1N6702US | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 20V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 5A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 470mV @ 5A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 200µA @ 20V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SQ-MELF, C | |
| 공급 장치 패키지 | D-5C | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 125°C | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6700US | |
| 관련 링크 | 1N67, 1N6700US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0402D330KLAAP | 33pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D330KLAAP.pdf | |
![]() | EG-2102CA 100.0000M-LGPAL3 | 100MHz LVDS SO (SAW) Oscillator Surface Mount 3.3V 45mA Enable/Disable | EG-2102CA 100.0000M-LGPAL3.pdf | |
![]() | GL41T-E3/97 | DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB | GL41T-E3/97.pdf | |
![]() | ELC-16B101L | 100µH Unshielded Wirewound Inductor 2.6A 72 mOhm Radial | ELC-16B101L.pdf | |
![]() | OPB462N11 | SWITCH PHOTOLOGIC SLOTTD OPTICAL | OPB462N11.pdf | |
![]() | X9429WV14I-2.7 | X9429WV14I-2.7 INTERSIL TSSOP-14 | X9429WV14I-2.7.pdf | |
![]() | 9670150711 | 9670150711 hat SMD or Through Hole | 9670150711.pdf | |
![]() | HIC1016 | HIC1016 MURATA DIP | HIC1016.pdf | |
![]() | LL2012-FHL12NJ-BLK | LL2012-FHL12NJ-BLK TOKO SMD or Through Hole | LL2012-FHL12NJ-BLK.pdf | |
![]() | RGSD6Y102J | RGSD6Y102J MURATAB-mm SMD or Through Hole | RGSD6Y102J.pdf | |
![]() | I2032VE225 | I2032VE225 LAT QFP | I2032VE225.pdf | |
![]() | RPE113-902F684Z50 | RPE113-902F684Z50 MURATA SMD or Through Hole | RPE113-902F684Z50.pdf |