창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6637US | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N49xxUS, 59xxUS, 66xxUS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.1V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 400옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SQ-MELF, E | |
| 공급 장치 패키지 | D-5B | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6637US | |
| 관련 링크 | 1N66, 1N6637US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | HQCCWM2R0BAH6A | 2pF 2500V(2.5kV) 세라믹 커패시터 P90 2325(5864 미터법) 0.230" L x 0.250" W(5.84mm x 6.35mm) | HQCCWM2R0BAH6A.pdf | |
![]() | 0313010.VXIDP | FUSE GLASS 10A 32VAC 3AB 3AG | 0313010.VXIDP.pdf | |
![]() | CRCW12107K87FKEAHP | RES SMD 7.87K OHM 1% 3/4W 1210 | CRCW12107K87FKEAHP.pdf | |
![]() | 1B0266-3 | RF Directional Coupler Military 1.7GHz ~ 3.4GHz 3dB 80W | 1B0266-3.pdf | |
![]() | LMV797MM+ | LMV797MM+ NSC SOP | LMV797MM+.pdf | |
![]() | F16 PH | F16 PH PHILIPS SOD27(DO35) | F16 PH.pdf | |
![]() | LT1965ET-1.8#PBF | LT1965ET-1.8#PBF LT SMD or Through Hole | LT1965ET-1.8#PBF.pdf | |
![]() | JL82575 | JL82575 INTEL BGA | JL82575.pdf | |
![]() | EPM3032ATC44-10(TSTDTS) | EPM3032ATC44-10(TSTDTS) ALTERA SMD or Through Hole | EPM3032ATC44-10(TSTDTS).pdf | |
![]() | GRM40P2H471J50 | GRM40P2H471J50 MURATA SMD or Through Hole | GRM40P2H471J50.pdf | |
![]() | HZ9B3 T/B | HZ9B3 T/B ST DO-35 | HZ9B3 T/B.pdf | |
![]() | NQ82005MCH QJ72ES | NQ82005MCH QJ72ES intel BGA | NQ82005MCH QJ72ES.pdf |