창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N6637 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N49xx,59xx,66xx | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.1V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 400옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | E, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | E, 축방향 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N6637 | |
관련 링크 | 1N6, 1N6637 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | ERJ-L08UJ72MV | RES SMD 0.072 OHM 5% 1/3W 1206 | ERJ-L08UJ72MV.pdf | |
![]() | HMC623LP4E | HMC623LP4E HITTITE SMD or Through Hole | HMC623LP4E.pdf | |
![]() | 104/100V | 104/100V ORIGINAL SMD or Through Hole | 104/100V.pdf | |
![]() | TA2132F(EL,M) | TA2132F(EL,M) Toshiba SOP DIP | TA2132F(EL,M).pdf | |
![]() | MAX846AEEE-T | MAX846AEEE-T MAX SMD or Through Hole | MAX846AEEE-T.pdf | |
![]() | DJ-005-.5 | DJ-005-.5 ORIGINAL SMD or Through Hole | DJ-005-.5.pdf | |
![]() | ERJ8GEYJ203V | ERJ8GEYJ203V MCR SMD or Through Hole | ERJ8GEYJ203V.pdf | |
![]() | ECHU1H182GB5(0805) | ECHU1H182GB5(0805) PAN SMD or Through Hole | ECHU1H182GB5(0805).pdf | |
![]() | 2SB815-7 | 2SB815-7 SANYO SOT-23 | 2SB815-7.pdf | |
![]() | MHO+43FAD 5.0000 | MHO+43FAD 5.0000 ORIGINAL SMD | MHO+43FAD 5.0000.pdf | |
![]() | LM2575S-5.0/LM2575S-33 | LM2575S-5.0/LM2575S-33 NS TO-263 | LM2575S-5.0/LM2575S-33.pdf |