창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N6637 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N49xx,59xx,66xx | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.1V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 400옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | E, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | E, 축방향 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N6637 | |
관련 링크 | 1N6, 1N6637 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | MKT1813415636 | 0.15µF Film Capacitor 220V 630V Polyester, Metallized Axial 0.394" Dia x 1.043" L (10.00mm x 26.50mm) | MKT1813415636.pdf | |
![]() | 416F320X3IAT | 32MHz ±15ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F320X3IAT.pdf | |
![]() | PM518S-820-RC | 82µH Shielded Wirewound Inductor 380mA 950 mOhm Max Nonstandard | PM518S-820-RC.pdf | |
![]() | Y14422K75400B0L | RES 2.754K OHM 1/2W 0.1% RADIAL | Y14422K75400B0L.pdf | |
![]() | DF12B-36DS-0.5V 86 | DF12B-36DS-0.5V 86 HRS SMD or Through Hole | DF12B-36DS-0.5V 86.pdf | |
![]() | STI5516AWCL | STI5516AWCL ST BGA | STI5516AWCL.pdf | |
![]() | BFX68(A) | BFX68(A) MOT CAN3 | BFX68(A).pdf | |
![]() | ZSR1000N8 | ZSR1000N8 ZTX SMD | ZSR1000N8.pdf | |
![]() | PTEA080451E | PTEA080451E INFINEON SMD or Through Hole | PTEA080451E.pdf | |
![]() | 463-2 | 463-2 ORIGINAL TO-3 | 463-2.pdf | |
![]() | HC0001-BROWN | HC0001-BROWN Hartland SMD or Through Hole | HC0001-BROWN.pdf | |
![]() | TPS67013RHBR | TPS67013RHBR TI QFN | TPS67013RHBR.pdf |